Презентація на тему «Надпровідниковий діод»

Презентація на тему:
“Надпровідниковий діод”
Підготувала учениця 11-А класу
Чинадіївської ЗОШ І-ІІІ ступенів
Пехньо Олександра

Напівпровідниковий діод —
це напівпровідниковий
прилад з одним
випрямним
електричним
переходом і двома
зовнішніми виводами.

Випрямним електричним переходом, в напівпровідникових діодах, може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал-напівпровідник.

Випрямний перехід, окрім ефекту випрямлення, має й інші властивості, що використовуються для створення різних видів напівпровідникових діодів: випрямних діодів, стабілітронів, лавинно-пролітних діодів, тунельних діодів, варикапів та інших.

Тому напівпровідникові діоди поділяють:
на випрямні,
високочастотні;
надвисокочастотні,
імпульсні,
опірні (стабілітрони),
чотиришарові перемикаючі, 
фотодіоди, 
світлодіоди, 
тунельні діоди та інші.

Якщо сплавити напівпровідники з різними типами провідності (n— та p-провідністю), то на межах їх стику утворюється p-n перехід. Вільні електрони з області напівпровідника з n-провідністю рекомбінують з «дірками» напівпровідника з p-провідністю. Утворюється нейтральний шар, який розділяє дві області з електричними зарядами. Створюється різниця потенціалів.

Якщо подати напругу негативним знаком на n-область та позитивним на p-область, то електрони будуть здатні подолати нейтральний бар'єр і через діод потече струм (пряме увімкнення діода). Якщо подати напругу позитивним знаком на n-область, а негативним на p-область, то нейтральний шар розшириться і струм протікати не буде.

Основні параметри напівпровідникового діода
Is — струм насичення (тепловий струм);
Rб — опір бази діода;
Rа — активний опір;
RД — диференційний опір;
Cб — бар'єрна ємність;
СД — дифузійна ємність
Rтп к — тепловий опір перехід-корпус;
Кв — коефіцієнт випростування;
φк — контактна різниця потенціалів.

Проектування
При автоматизованому проектуванні мікроелектронної апаратури (МЕА), широко використовуються моделі елементної бази, зокрема, моделі напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем (ІМС). Найпоширенішими є топологічні моделі, наведені у вигляді еквівалентної заступної схеми, або неспрямованого графа, вітки яких відбивають шляхи розповсюдження фізичного процесу у приладах.

Застосування
Застосовується
практично у всіх
електронних
схемах, та в
багатьох
електричних.

ДЯКУЮ ЗА УВАГУ!